近日，软银与英特尔联合开发了一款全新的 AI 专用内存芯片，旨在大幅降低电力消耗，以便为日本的 AI 基础设施提供更为高效的支持。根据日经亚洲的报道，双方的合作目标是设计一种新型堆叠式 DRAM 芯片。这种芯片的布线方式将不同于目前市场上流行的高带宽内存（HBM），预期可以将电力消耗降低约50%。

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这项新技术的开发工作由一家新成立的公司 Saimemory 负责，该公司将专注于芯片的设计和专利管理，而实际的芯片制造则将外包给专业的代工厂。Saimemory 计划在接下来的两年内完成原型的开发，随后评估是否进入量产阶段。项目的商业化目标设定在21世纪20年代，预计整个项目的投资将达到100亿日元（约合5亿元人民币）。

在这项合作中，软银是主要的投资者，将出资30亿日元（约合1.5亿元人民币）。此外，日本理化学研究所与神港精机也在考虑通过资金或技术参与该项目。项目方还计划申请政府的支持，以进一步推动这项新型存储器的研发。

软银期望这款新型内存芯片能够广泛应用于其 AI 训练数据中心。随着 AI 技术在企业管理等高阶领域的不断深入，对高性能和高效率的数据处理能力的需求日益增加。新型内存芯片有望以更低的成本，支持构建高质量的数据中心，从而满足不断增长的市场需求。

这一研发进展无疑将为 AI 行业带来新的机遇，同时也为推动节能和环保的技术应用贡献力量。随着 AI 技术的快速发展，软银和英特尔的这一合作，可能会对整个科技行业产生深远的影响。

划重点:

🌟 软银与英特尔合作开发新型 AI 内存芯片，旨在降低电力消耗约50%。

💡 新型堆叠式 DRAM 芯片的设计不同于现有的高带宽内存（HBM）。

💰 项目预计投资100亿日元，软银为主要投资方，目标在21世纪20年代实现商业化。